<<<DDR RAM的介紹>>> 

DDR SDRAM最早是由三星公司於1996年提出，由日本電氣、三菱、富士通、東芝、日立、德州儀器、三星及現代等八家公司
協議訂立的記憶體規格，並得到了AMD、VIA與SiS等主要晶片組廠商的支援。它是SDRAM 的陞級版本，因此也稱為「SDRAM 
II」。其最重要的改變是在接口數據傳輸上，他在時鐘信號的上升沿與下降沿均可進行數據處理，使數據傳輸率達到SDR(Single 
Data Rate)SDRAM 的2倍。至於尋址與控制信號則與SDRAM相同，僅在時鐘上升沿傳送。 

DDR SDRAM模組部份與SDRAM模組相比，改為採用184針(pin)，4∼6 層印刷電路板，電氣接口則由「LVTTL」改變為
「SSTL2」。在其它元件或封裝上則與SDRAM模組相同。DDR SDRAM模組一共有184個接腳，且只有一個缺槽，與SDRAM的
模組並不相容。 DDR SDRAM在命名原則上也與SDRAM不同。SDRAM的命名是按照時鐘頻率來命名的，例如PC100與PC133。
而DDR SDRAM則是以數據傳輸量作為命名原則，例如PC1600以及PC2100，單位 MB/s。所以 DDR SDRAM中的DDR200 其實與
PC1600是相同的規格，數據傳輸量為 1600MB/s(64bit╳100MHz╳2÷8＝1600MBytes/s)，而DDR266與PC2100 也是一樣的情形
(64bit╳133MHz╳2÷8＝2128MBytes/s)。 

DDR SDRAM 在規格上按信號延遲時間(CL；CAS Latency，CL是指記憶體在收到訊號後，要等待多少個系統時鐘週期後才進行
讀取的動作。一般而言是越短越好，不過這還要看記憶體顆粒的原始設定值，否則會造成系統的不穩定)也有所區別。按照電
子工程設計發展聯合協會（JEDEC）的定義(規格書編號為JESD79)：DDR SDRAM一共有兩種CAS延遲，分為2ns以及2.5ns(ns為
十億分之一秒)。較快的 CL= 2 加上 PC 2100 規格的 DDR SDRAM稱作 DDR 266A，而較慢的 CL= 2.5 加上PC 2100規格的DDR 
SDRAM 則稱作 DDR 266B。另外，較慢的 PC1600 DDR SDRAM 在這方面則是沒有特別的編號。 

DDR 記憶體規格 最高運行頻率 
DDR-266A DDR-266B DDR-200 
CL=2 133 100 100 
CL=2.5 143 133 125 

在購買DDR記憶體時，用戶也有一些需要注意的地方。目前可以看到的 DDR 記憶體顆粒的廠商有南亞，美光、三星、現代
等。而規格上分為 PC1600、PC2100，PC2100還分為CL=2.5 與 CL=2 兩種。目前市場主流應該是PC2100 CL=2.5，至於識別方
法，用戶可以先把記憶體顆粒的編號記下來，然後到網站上去搜尋該公司的產品資料。 

以韓國三星的DDR 記憶體為例，它的顆粒編號為 K4H280838B-TCB0，然後再到網站上找到它的 Data Sheet。可以看到代
號"B0"的規格為PC2100 CL=2.5，也就是DDR 266B。 

目前性能表現最好的DDR 記憶體是PC266A，即PC2100 CL=2，如果您對性能有特殊要求，在購買 DDR 記憶體時，就可以利用
這個方法來判斷。